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PEALD等離子增強原子層沉積系統
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產品描述
參數
一、設備概述：
PEALD等離子體增強原子層沉積系統是專門為特殊應用領域的科學研究與工業開發用戶而設計的單片/多片沉積系統，系統電氣完全符合CE標準；該系統擴展了普通原子層沉積系統對前驅體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度，廣泛應用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。
二、技術指標：
樣品臺：標準4/6/8英寸，兼容以小尺寸，可定制
基片加熱溫度：室溫～400℃
前驅體輸運系統：標準2-6路液態前驅體管路，可選配
前驅體管路溫度：室溫～200℃
源瓶加熱溫度：室溫～200℃
ALD閥 ：Swagelok快速高溫ALD專用閥
本底真空：＜5*10-5Torr，高性能機械泵
載氣系統 ：N2或者Ar
生長模式：高速沉積模式和停留生長模式
等離子體源：0-300W 感應耦合遠程等離子體
等離子體放電氣源：標準2-4路，可選配
控制系統 PLC+觸摸屏
電源 50-60Hz, 380V/20A交流電源
沉積非均勻性：Al2O3非均勻性＜±1%
三、可沉積薄膜種類：
氧化物、氮化物、單質等；
四、ALD應用實例：
高K柵氧化層，存儲容性電介質，銅互連中高深寬比擴散阻擋層，OLED無針孔鈍化層，MEMS的高均勻鍍膜，納米多孔結構鍍膜，特種光纖摻雜，太陽能電池，平板顯示器，光學薄膜，其它各類特殊結構納米薄膜
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